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200V Q系列二极管提供低反向恢复电荷和软开关特性

归档日期:04-30       文本归类:反向恢复      文章编辑:爱尚语录

  采用独特的硅基工艺,具有低反向恢复电荷(Qrr)和软开关电性。当PN硅二极管在导通和反向偏置器件关断时,电流将快速降至零,然后在二极管从正向导通中恢复时开始反向流经二极管,负电流与时间的乘积就被定义为反向恢复电荷。较低的Qrr值可降低MOSFET的开关损耗,能使设计产品在较高的频率下工作,从而可降低磁性元件的尺寸和成本。较低的Qrr值还可减小MOSFET的导通电流,帮助设计工程师选择更小的低成本元件。PI产品营销经理Klaus Pietrczak表示:“与传统相比,PI的200V Q系列二极管的Qrr低80%,结电容也降低80%。与沟道肖特基相比,Qrr降低40%,开关损耗更低。与竞争对手的同类产品相比,在相同的工作状态下,PI的200V Q系列二极管也具有更低的Qrr和更好的正向压降。”

  二极管是低频到高频的噪声发生源之一,为了最小化EMI,应该选用反向恢复特性更软的二极管,二极管软度越高,二极管EMI的情况越好。传统二极管的软度能达0.5已较为理想,PI的Qspeed二极管系列的软度可接近1,使其EMI和峰值反向电压(PRV)值更低。

  Klaus Pietrczak表示:“PI的200V Q系列二极管可应用于如通信电源和音频放大器等领域。通过降低所产生的EMI水平,可以为设计工程师节省设计空间和元件成本,同时又可以获得更优良的设计性能。”

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