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数字电路--二极管开关特性--反向恢复过程产生原因: 存储电荷消

归档日期:04-23       文本归类:反向恢复      文章编辑:爱尚语录

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  展开全部首先这是模电里面的,由于正向偏置的时候P区和N区都形成一个少子对应的扩散电容,当外部偏置电压反偏时,由于电容两端的电压不能突变,此时二极管还是出正偏的,不过会慢慢的减小,直到扩散电容两端存储的电荷消失。更多追问追答追问肯定是数电里的,摸电里可能也解释过。存储电荷P区是少子电子,N区是少子空穴,你说的扩散电容的电压方向应为N区指向P区,这不是反偏吗?追答数字电路里面不可能讨论什么多子少子,什么偏置电压,扩散电容,这些显然是模拟量。扩散电容分别在P区和N区里面,不是PN之间。N区空穴浓度逐渐递减,电容肯定是自左往右为+到-。追问对不起,我以为你不回答了,所以没注意到您的回复。请原谅。是《数字电路》介绍逻辑门电路时解释的。只说了存储电荷这个概念。没有提到扩散电容这个概念。存储电荷应该指的就是P区的少子电子和N区的少子空穴。这样存储电荷电场(扩散电容)方向不是

  N区指向P区吗?它加在PN结两端的电场方向不是N区指向P区,即反偏吗?哪不对?

  数字电路要考虑实际的模拟特性,扩散电容,势垒电容,反向恢复时间在模拟电子电路前几章节会会有非常详细的介绍,N区的少子空穴是从P去扩散进来的,自左往右浓度越来越低,随着偏置电压的改变,其浓度差也会跟着变化,这种随着电压而导致空穴浓度改变的现象称为扩散电容效应。你可以理解为扩散电容在N区(或者P区)里面,而不是在PN结之间。去看看模电书,大学里显然是先学模电再学数电。

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