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半导体二极管之快恢复整流二极管

归档日期:05-25       文本归类:反向恢复      文章编辑:爱尚语录

  快恢复整流二极管是近期问世的新型半导体器件,它的内部结构与普通二极管不同,它在硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,使反向恢复时间大大减少。除此之外,还降低了瞬态正向压降,使二极管能承受很高的反向电压。

  图中IF为正向电流,IRM为最大反向恢复电流。IF是反向恢复电流,通常规定,Irr=0.1IRM。当tto时,正向电流I=IF。当tt0时,由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压,正向电流迅速下降,并在t=t1时I=0。在此之后,整流器件中流过反向电流IR并逐渐增大,当t=t2时达到最大反向恢复电流IRM。此后受正向电压的作用,反向电流逐渐减小,在t=t3时达到规定值Irr。从t1到t3的这段时间就是反向恢复时间trr,它是衡量高频整流二极管及续流二极管性能的一个重要指标。

  快恢复整流二极管具有开关特性好、反向恢复时间短、正向电流大、体积小等特点,适用于脉冲调宽器、交流电机变频调速器、开关电源、不间断电源等电子装置中,作高频、高压、大电流整流及续流用。

  2CF型超快恢复整流二极管的主要特性参数见表14-9,其外形如图14-22所示。

  BZ系列高频整流二极管的外形如图14-23所示,其主要特性参数见表14-11。

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